SSD-C900N512GB - Dysk SSD NVMe M.2 PCIe Gen3x4, pojemność 512GB, 3D NAND
Seria C900 NVMe SSD wykorzystuje wysokiej jakości cząsteczki 3D NAND, wysokowydajny kontroler i zaawansowane oprogramowanie układowe. Ciągła prędkość odczytu wynosi do 2000 MB/s, a ciągła prędkość zapisu do 1600 MB/s. W porównaniu z tradycyjnymi mechanicznymi dyskami twardymi z portami SATA, może skutecznie poprawić wydajność przechowywania i transmisji danych komputera o ponad 10 razy.
Zaprojektowany z myślą o zaawansowanych technologicznie użytkownikach, graczach i profesjonalistach, dysk SSD NVMe M.2 z serii Dahua C900 nadaje się do użytku w środowiskach o dużym obciążeniu pracą, takich jak tworzenie i edycja wideo.
CHARAKTERYSTYKA:
SPECYFIKACJA TECHNICZNA:
Model produktu | SSD-C900N128G | SSD-C900N256G | SSD-C900N512G | SSD-C900N1TB |
Pojemność *1 | 128 GB | 256 GB | 512 GB | 1 TB |
Współczynnik kształtu | M.2 2280 | M.2 2280 | M.2 2280 | M.2 2280 |
Port | PCIe Gen 3.0 x 4 | PCIe Gen 3.0 x 4 | PCIe Gen 3.0 x 4 | PCIe Gen 3.0 x 4 |
Waga netto | Maks. 8 g | Maks. 8 g | Maks. 8 g | Maks. 8 g |
Wymiary produktu | 80,00 x 22,00 x 2,25 mm | 80,00 x 22,00 x 2,25 mm | 80,00 x 22,00 x 2,25 mm | 80,00 x 22,00 x 2,25 mm |
Wymiary opakowania | 130 x 104 x 17 mm | 130 x 104 x 17 mm | 130 x 104 x 17 mm | 130 x 104 x 17 mm |
Pamięć | 3D NAND | 3D NAND | 3D NAND | 3D NAND |
Pobór mocy *2 | 3066 mW (maks.) 566 mW (idle) | 3066 mW (maks.) 566 mW (idle) | 3066 mW (maks.) 566 mW (idle) | 3066 mW (maks.) 566 mW (idle) |
S.M.A.R.T | Tak | Tak | Tak | Tak |
TRIM | Tak | Tak | Tak | Tak |
Garbage Collection | Tak | Tak | Tak | Tak |
Odczyt sekwencyjny *2 | Do 2000 MB/s | Do 2000 MB/s | Do 2000 MB/s | Do 2000 MB/s |
Zapis sekwencyjny *2 | Do 650 MB/s | Do 1050 MB/s | Do 1500 MB/s | Do 1600 MB/s |
Odczyt losowy 4K *2 | Do 58800 | Do 88300 | Do 99500 | Do 96200 |
Losowy zapis 4K *2 | Do 102400 | Do 95400 | Do 96200 | Do 91300 |
MTBF | 1 500 000 godzin | 1 500 000 godzin | 1 500 000 godzin | 1 500 000 godzin |
Temperatura pracy | 0 °C do +70 °C | 0 °C do +70 °C | 0 °C do +70 °C | 0 °C do +70 °C |
Temperatura przechowywania | -40 °C do +95 °C | -40 °C do +95 °C | -40 °C do +95 °C | -40 °C do +95 °C |
Wilgotność podczas pracy | 5%-95% (bez kondensacji) | 5%-95% (bez kondensacji) | 5%-95% (bez kondensacji) | 5%-95% (bez kondensacji) |
Odporność na wibracje | 10-200 Hz, 0,5 G | 10-200 Hz, 0,5 G | 10-200 Hz, 0,5 G | 10-200 Hz, 0,5 G |
Odporność na wstrząsy | 1500G&0,5 ms (pół fali sinusoidalnej) | 1500G&0,5 ms (pół fali sinusoidalnej) | 1500G&0,5 ms (pół fali sinusoidalnej) | 1500G&0,5 ms (pół fali sinusoidalnej) |
TBW | 80 TB | 128 TB | 256 TB | 512 TB |
Gwarancja *3 | 3-letnia ograniczona gwarancja | 3-letnia ograniczona gwarancja | 3-letnia ograniczona gwarancja | 3-letnia ograniczona gwarancja |
Informacje referencyjne | 1. Obliczanie pojemności: 1 GB = 1 miliard bajtów (IDEMA). Rzeczywista dostępna pojemność może być mniejsza (z powodu formatowania, partycji, aplikacji systemu operacyjnego lub innego niezbędnego użycia). 2. Konfiguracja systemu do testu wydajności: Chip-AMD Ryzen 5 5600X 6-Core Processor@3.70 GHz, 8G-DDR4, system operacyjny-Windows 10 x64, narzędzie testujące-CrystalDiskMark 6.0.0 x64 3. Okres gwarancji lub maksymalna wielkość zapisu (TBW), w zależności od tego, co nastąpi wcześniej. 4. Wysokowydajna pamięć podręczna SLC została włączona *Powyższe dane opierają się na wewnętrznych testach laboratorium Zhejiang Huayixin Technology Co., Ltd. Rzeczywista wydajność może się różnić w zależności od urządzenia, z którym jest używany |
Arkusz danych
Szczególne odniesienia